Cuestion 3 (NMosfet acumulacion, corriente drenador en saturacion)

Cuestion 3 (NMosfet acumulacion, corriente drenador en saturacion)

Solucion:

Anchura NMOS:

$\begin{displaymath}W=150\, \mu m\end{displaymath}$

Longitud NMOS:

$\begin{displaymath}L=2\, \mu m\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}KP=60\,\frac{\mu A}{V^2}\end{displaymath}$

Tension umbral del NMOS:

$\begin{displaymath}V_{to}=2.5\,V\end{displaymath}$

Tension puerta fuente del NMOS:

$\begin{displaymath}V_{GS}=4\,V\end{displaymath}$

La intensidad de drenador del NMOS sera:

$I_{D}=K\,(V_{GS}-V_{to})^2$ en zona de saturacion.

$\begin{displaymath}K=\frac{W}{L}\,\frac{KP}{2}=\frac{150}{2}\,\frac{60\,10^{-6}}{2}=2.25\,\frac{mA}{V^2}\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}I_{D}=K\,(V_{GS}-V_{to})^2=2.25\,10^{-3}\cdot (4-2.5)^2=5.026\,mA\end{displaymath}$

No es ninguna de las opciones solucion. Grafica representada con el Micro-Cap (Spice):