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Cuestion 2 (JFET, corriente de drenador en saturacion)

Image 2009Sept2C2
Solucion:

 

Como la tension puerta-fuente es mayor que la Vto el transistor esta en zona ohmica o en saturacion. Y ademas por los valores de de intensidad de drenador y tension de drenador fuente y vista la grafica, el transistor esta en zona de saturacion.


La intensidad de drenador viene dada por:

\begin{displaymath}I_{D}=K\,(V_{GS}-V_{to})^2\end{displaymath}

La constante K del JFET canal N viene dada por:

\begin{displaymath}K=\frac{I_{DSS}}{V_{to}^2}\end{displaymath}




\begin{displaymath}I_{D}=\frac{I_{DSS}}{V_{to}^2}\,(V_{GS}-V_{to})^2\end{displaymath}

La corriente de drenador en zona de saturacion cuando VGS=0, IDSS, en el JFET canal N es:


\begin{displaymath}I_{DSS}=\frac{I_{D}\,V_{to}^2}{(V_{GS}-V_{to})^2}=\frac{1.5\,10^{-3}\cdot (-4)^2}{(-3-(-4))^2}=24\,mA\end{displaymath}





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