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Cuestion 1 (Diodos, portadores)

Image 2009Jun1C1
Solucion:


La concentracion intrinseca en el material semiconductor viene dada por:

\begin{displaymath}n_{i}^2=n\,p\end{displaymath}


\begin{displaymath}p+N_{d}=n+N_{a}\end{displaymath}




\begin{displaymath}p\,n+N_{d}\,n=n^2\end{displaymath}


\begin{displaymath}n_{i}^2+N_{d}\,n=n^2\end{displaymath}


\begin{displaymath}(1.45\,10^10)^2+10^16\,n-n^2=0\end{displaymath}

La conentracion de electrones libres n en el material semiconductor en electrones/cm3 es:

\begin{displaymath}n=10^16\end{displaymath}

(errata es 10 elevado a 16)


La conentracion de huecos p en el material semiconductor en huecos/cm3 es:

\begin{displaymath}p=\frac{(1.45\,10^10)^2}{10^16}=2.1\,10^4\end{displaymath}



cajael