XML
Loading
COMPONENTES ELECTRONICOS Examenes 2005 Examenes 2006 Examenes 2007
Examenes 2008 Examenes 2009    
 

 

 

 

Cuestion 6 (Amplificacion, pto de trabajo)

Suponemos el transitor NPN trabajando en zona activa.


\begin{displaymath}\frac{V_{CE}-V_{BE}}{R_{1}}=I_{B}+\frac{V_{BE}}{R_{2}}\end{displaymath}


\begin{displaymath}I_{DC}=\frac{V_{CE}-V_{BE}}{R_{1}}+I_{C}=I_{B}+\frac{V_{BE}}{R_{2}}+\beta\,I_{B}\end{displaymath}


\begin{displaymath}5\,10^{-3}=I_{B}+\frac{0.7}{700}+100\,I_{B}\end{displaymath}

La intensidad de base IB del transistor NPN en el punto de trabajo es:


\begin{displaymath}I_{B}=39.6\,\mu A\end{displaymath}




\begin{displaymath}\frac{V_{CE}-V_{BE}}{R_{1}}=I_{B}+\frac{V_{BE}}{R_{2}}\end{displaymath}

La tension colector emisor en el punto de trabajo VCEQ del transistor NPN es:


\begin{displaymath}V_{CE}=V_{BE}+R_{1}\,(I_{B}+\frac{V_{BE}}{R_{2}})=7.25\,V\end{displaymath}




cajael