Cuestion 4 (Transistor, temperatura)

Cuestion 4 (Transistor, temperatura)

Solucion:

La tension emisor base VEB en el transistor PNP $V_{EB}$ se reduce cada grado 2mV.

$\begin{displaymath}\frac{V_{EB_{1}}-V_{EB_{2}}}{T_{f}-T_{i}}=2\,10^{-3}\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}0.7-V_{EB_{2}}=(180-30)\cdot 2\,10^{-3}=0.3\end{displaymath}$

La tension emisor base VEB en el transistor PNP a 180º es:

$\begin{displaymath}V_{EB_{2}}=0.4\,V\end{displaymath}$

La intensidad de emisor IE biene dada por la formula:

$\begin{displaymath}I_{E}=I_{ES}\,(e^{\frac{V_{EB}}{\eta\,V_{T}}}-1)\approx I_{ES}\,e^{\frac{V_{EB}}{\eta\,V_{T}}} \end{displaymath}$

$\begin{displaymath}2\,10^{-3}=I_{ES}\,e^{\frac{0.4}{\eta\,V_{T}}}\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}0.1\,10^{-3}=I_{ES}\,e^{\frac{V_{EB_{3}}}{\eta\,V_{T}}}\end{displaymath}$

Suponemos $\eta=1$ .

$\begin{displaymath}\frac{2\,10^{-3}}{0.1\,10^{-3}}=e^{\frac{0.4}{V_{T}}-\frac{V_{EB_{3}}}{V_{T}}}\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}V_{T_{25}}=\frac{cte\,T}{q}=K\,T\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}26\,10^{-3}=K\,(275+25)=K\,300\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}K=\frac{26\,10^{-3}}{300}\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}V_{T_{180}}=K\,(270+180)=39.43\,mV\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}\frac{0.4}{V_{T}}-\frac{V_{EB_{3}}}{V_{T}}=ln(\frac{2\,10^{-3}}{0.1\,10^{-3}})=2.99\end{displaymath}$

$\begin{displaymath}0.4-V_{EB_{3}}=2.99\,V_{T}=2.99\,39.43\,10^{-3}=0.1181\end{displaymath}$

La tension emisor base VEB del transisrtor PNP necesaria para cumplir las condiciones deseadas es:

$\begin{displaymath}V_{EB_{3}}=0.282\approx 0.283\,V\end{displaymath}$

Hay una errata no es VBE es VEB

Siguiente: Cuestion 5 (Transistor, ganancia) Subir: Examen 2008 Sept 1 Anterior: Cuestion 3 (Fuente de Índice General