Cuestion 1 (PJfet, punto de trabajo)

Image 2007Sept1C1
Solucion:

Resistencia de drenador del pJFET:

\begin{displaymath}R_{D}=15\,k\Omega\end{displaymath}


\begin{displaymath}U_{DD}=-15\,V\end{displaymath}

Tension de puerta del pJFET:


\begin{displaymath}U_{G}=1\,V\end{displaymath}

Tension umbral del pJFET:


\begin{displaymath}U_{p}=4\,V\end{displaymath}


\begin{displaymath}K=15\,10^{-6}\,\frac{A}{V^2}\end{displaymath}



$U_{G}=U_{GS}=1<U_{p}=4$ el PJfet esta en zona ohmica o saturacion.



Suponemos que esta en saturacion.


La intensidad de drenador del pJFET es:

\begin{displaymath}I_{D}=K\,(U_{GS}-U_{p})^2=15\,10^{-6}\cdot (1-4)^2=135\,\mu A\end{displaymath}




\begin{displaymath}U_{DD}+R_{D}\,I_{D}=U_{DS}\end{displaymath}

La tension drenador fuente del pJFET es:

\begin{displaymath}U_{DS}=-15+135\,10^{-6}\cdot 10\,10^3=-13.65\,V\end{displaymath}

La tension drenador puerta del pJFET es:



$U_{DG}=U_{DS}-U_{GS}=-12.97-1=-13.97<-V_{p}=-4$ esta en zona de saturacion.



Image 2007Sept1C1b

K=Beta=15e-6; VTO=-Vp=-4.